作者:
ides13 (juso)
2025-07-20 22:59:512023年版第四章 發明單一性的2 - 4 - 11頁，有一個案例如下。
例 3.
〔申請專利範圍〕
1.一種半導體隨機存取記憶體裝置，其特徵在於將具有由第一金屬絕緣層-半導體（metal
–insulator–semiconductor, MIS）元件，採用此第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任
一領域作閘、且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件，……配置成矩陣
狀的記憶體陣列，將資訊線（D1）配線於記憶體存格間使記憶體陣列直交於感線（S1）及
字線（W1）而成者。
2.一種 MIS 型半導體裝置，其特徵在於由被形成於半導體基板之一主面上的第一 MIS 元
件、與採用此第一 MIS 元件之汲極及源極領域之任一領域作閘，且於前述第一 MIS 元件
之上部疊積形成的第二 MIS 元件而成者。
〔假設〕
就先前技術而言，請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」具有新穎性及進步性。
〔說明〕
請求項 2 之「MIS 型半導體裝置」為請求項 1 之「半導體隨機存取記憶體裝置」的構成
元件之一，請求項 1 包含請求項 2 之內容，請求項1、2 均具有「第一 MIS 元件之汲極
及源極領域之任一領域作閘，且於前述第一 MIS 元件之上部疊積形成的第二 MIS 元件」
之相同的特別技術特徵，故申請案具有發明單一性。