https://www.sandisk.com/company/newsroom/press-releases/2025/2025-07-24-sandisk-forms-hbf-technical-advisory-board-to-guide-development-and-strategy-for-high-bandwidth-flash-memory-technology
https://tinyurl.com/yc6r6dvt
Sandisk在年初就提出HBF(高頻寬快閃記憶體)，其原理是結合3D NAND Falsh以及HBM的特
性所發展的架構。採用TSV技術來堆疊16個3D NAND Flash BiCS8顆粒，堆疊之間可以透過
邏輯晶片來同時互相存取，使得HBF可以比現有的HBM提供8~16倍的容量
以Sandisk提出的規格來看，8個HBF堆疊可以提供高達4TB的VRAM。所以HBF的主要目標
就是商用AI市場，這類的高容量特性適合運作大規模AI模型
HBF的延遲比DRAM還高，所以適合用在顯示卡或是運算單元來進行密集性AI模擬而不是合
用於延遲較低的環境。目前Sandisk所公布的資料並不多，至於技術委員會的目的就是
透過內部及外部人士來對HBF的研發過程提出指導
至於成員目前Sandisk只說有Raja Koduri(就是那個從AMD跳槽過去Intel後又離職自立門
戶的)和David Patterson(曾獲頒2017年圖靈獎、RISC和RAID技術提出者之一、當選ACM和
IEEE院士)
關於HBF的相關資訊可以參閱Sandisk的技術文件
https://documents.sandisk.com/content/dam/asset-library/en_us/assets/public/sandisk/collateral/company/Sandisk-HBF-Fact-Sheet.pdf
https://tinyurl.com/7xc33v43