因排擠效應導致資金不足完成國內項目
對地方是大事
但對整個大局只能算癬疥之疾
這一波赴美投資
送的可是原本宣布
國內要在今年量產的2奈米製程
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N2製程
台積公司2奈米（N2）技術開發依照計劃進行並且有良好的進展。N2技術採用第一代奈米
片（Nanosheet）電晶體技術，提供全製程節點的效能及功耗進步，預計於民國一百一十
四年開始量產。
主要客戶已完成2奈米矽智財設計，並開始進行驗證。台積公司並發展低阻值重置導線層
、超高效能金屬層間電容以持續進行2奈米製程技術效能提升。
台積公司N2技術於民國一百一十四年開始量產時，將成為業界在密度和能源效率上最為先
進的半導體技術。台積公司N2技術採用領先的奈米片電晶體結構，其效能及功耗效率皆提
升一個世代，以滿足節能運算日益增加的需求。N2及其衍生技術將因我們持續強化的策略
，進一步擴大台積公司的技術領先優勢。
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A16製程
台積公司A16™是我們下一代的奈米片（Nanosheet）電晶體技術，並採用超級電軌技術（
Super Power Rail，SPR）。台積公司的SPR是具有獨創性、領先業界的背面供電解決方案
。SPR將供電線路移到晶圓背面，以在晶圓正面釋放出更多訊號線路佈局空間，來提升邏
輯密度和效能。SPR也能大幅度降低IR drop，進而提升供電效率。更重要的是，我們獨特
的backside contact技術能夠維持與傳統正面供電下相同的 閘極密度（Gate Density）
、布局版框尺寸（Layout Footprint）和元件寬度調節的彈性，因此可以提供最佳的密度
和速度上的優勢，這也是業界首創的技術。
A16特別適用於具有複雜訊號線路和高密度供電線路的高效能運算（HPC）產品。相對於N2
P，A16在相同電壓下可得到8%~10%速度提升，或在相同速度下減少15%~20%的功耗，並提
升1.07~1.10X的晶片密度（Chip Density） 。
A16預計在民國一百一十五年下半年量產。
這樣還不夠
還要再加上先進封裝與高階研發
與2015年馬政府通過張忠謀規劃的8寸與12寸赴中擴產計畫對比
台積電這波赴美投資完全就是內外雙賊政治壓力下的決定
甚至突破過往蔡政府執政八年長期所堅守的國家安全底線
經濟部長也只是一句
保證2奈米、1.6奈米明年不會到美國生產
講得好像後年以後就不關他的事一樣
總之賴政府投審會若輕易屈服
此舉措禍國之深難以估量
可不只是一兩個縣市地方經濟上的損失而已