安安
阿肥最近查了一下
一奈米量子穿隧效應會變得明顯
現在二奈米是用gaa製程來提高可控性
當製程進一步縮小至1奈米級，GAA可能不再足夠，需要Forksheet FET或CFET來進一步提升效能與抑制漏電
但好像也要材料有突破
半導體的極限快到了嗎
本肥小菜雞
有木有掛
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